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英飞凌新型高压MOSFET供应超卓的功率密度,树立效用新标杆

2019-6-12 11:32| 发布者: 家电维修技术论坛| 查看: 48| 评论: 0

摘要: 本文转自电子工程专辑EET网! 英飞凌科技股份公司壮年夜现有的CoolMOS妙技产品声势,推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V,具备更超卓的超结MOSFET机能。 ...
本文转自电子工程专辑EET网!

英飞凌科技股份公司壮年夜现有CoolMOS妙技产品声势,推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V,具备更超卓的超结MOSFET机能。它们可在方针应用中实现很是超卓的功率密度。qVDEETC-电子工程专辑

600 V CoolMOS P7:高效用和易用性的优化组合

新推出的P7树立效用标杆并具备更高的性价比,可年夜年夜简化计划。该器件的方针应用包孕充电器、适配器、照明装配、电视、PC电源、太阳能、处事器、电信和电动汽车充电等,其功率级别从100 W到15 kW不等。在差此外拓扑中,600 V CoolMOS P7可以或许将方针应用的效用提高1.5%,并且,对比竞争产品而言,事项温度最多可低落4.2 °C。 qVDEETC-电子工程专辑

外貌贴装(SMD)和通孔封装型号的导通电阻RDS(on) 范畴均为37 - 600 m,是以,600 V CoolMOS P7得当功率范畴很宽的多种应用。其它,赶过2 kV(HBM)的超卓的防静电手段可掩护器件免受出产中的静电放电破坏,从而有效提高制造品格。末,牢固耐用的体二极管能在LLC电路中硬换向变乱时期掩护器件。
qVDEETC-电子工程专辑

600 V CoolMOS C7 Gold(G7):一流的FOM授与创新型无引线SMD TO封装

G7具备较低的导通电阻RDS(on)、最小的栅极电荷QG,同时存储于输出电容的能量镌汰,并具备无引线TO封装的4管脚开尔文源极手段。这可以最年夜限度低落PFC和LLC电路中的消耗,并将机能提升0.6%,同时提高PFC电路的满载效用。G7只有1 nH的极低源极寄生电感,也有助于提高效用。qVDEETC-电子工程专辑

G7授与无引线TO封装,热机能得以改进,合用于年夜电流的计划,同时SMD工艺有助于低落安顿本钱。其它,600 V G7具备业界最低的导通电阻RDS(on) ,从28 m到150 m不等。对比传统的D2PAK封装而言,该器件的外貌积、高度和占板空间分袂减小30%、50%和60%。全部这些特性,使该器件成为处事器、电信、家产和太阳能等应用规模实现最高效用并树建功率密度标杆的抱负选择。qVDEETC-电子工程专辑

供货情形

600 V CoolMOS P7与600 V CoolMOS C7 Gold系列器件已最先批量出产,可订购样品。qVDEETC-电子工程专辑


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